Компанія Micron розпочинає виробництво пам'яті 1z DDR4 16 Гб
Зміст:
Компанія Micron оголосила, що розпочала серійне виробництво своїх оперативної пам'яті DDR4 16Gb DDR4, використовуючи технологічний вузол 1z, який на даний момент є найменшим технологічним вузлом у цій галузі. Micron є першою компанією DRAM, яка виготовляє продукти оперативної пам’яті 16 Гб DDR4 класу 1z, і вважає, що це дозволить їй запропонувати «високоцінні рішення в широкому діапазоні застосувань для кінцевого замовника».
Micron розпочинає виробництво пам'яті DDR4 класу 1 Гб 16 Гб
Процесорний вузол 1z 16Gb DDR4 пропонує значно більшу бітову щільність разом з невеликим підвищенням продуктивності та меншими витратами порівняно з попереднім поколінням 1Y технологічних вузлів. Новий вузол також дозволяє знизити споживання енергії на 40% порівняно з попередніми поколіннями 8 Гбіт DDR4 модулів оперативної пам’яті.
Новий технологічний вузол пропонує більшу гнучкість для нових продуктів DDR4 для використання в широкому спектрі застосувань, включаючи штучний інтелект, автономні транспортні засоби, 5G, мобільні пристрої, графіку, ігри, мережеву інфраструктуру та сервери. Однак, схоже, Micron надає перевагу клієнтам центрів обробки даних, які завжди шукають більш високу продуктивність, енергоспоживання та менші витрати.
Відвідайте наш довідник щодо найкращої оперативної пам'яті на ринку
Компанія Micron також оголосила, що розпочала об'ємні поставки DRAM 4X (LPDDR4X) з подвійною монолітною швидкістю передачі даних 16Gb з низькою потужністю і найвищою потужністю в галузі багатосхемних пакетів на базі UFS (uMCP4). Продукти LPDDR4X та uMCP4 1-нм орієнтовані насамперед на смартфони, які шукають кращий ресурс акумулятора та менші компоненти, які можна розмістити на своїх пристроях.
Samsung, головний конкурент Micron на ринку DRAM, оголосив минулої весни, що розпочне виробництво модулів DDR4 1Gnm, 8Gb DDR4 у другій половині цього року, готуючись до запуску нового продукту пам'яті нового покоління. DDR5, LPDDR5 та GDDR6.
Компанія Micron розпочинає виробництво тришарових 3-х модульних модулів
Micron виготовив свої перші модулі пам'яті 3D NAND четвертого покоління зі своєю новою архітектурою RG (замінний затвор).
Samsung розпочинає виробництво 12 ГБ пам'яті lpddrx
Samsung починає виробництво пам'яті LPDDRX об'ємом 12 ГБ. Дізнайтеся більше про анонси корейського бренду, який вже виробляє ці спогади.
Неминуче зростання цін на оперативної пам’яті ddr4 та оперативної пам’яті ssd
Пам'ять DDR4 та NAND flash все більше користуються попитом у виробників смартфонів, тому очікується швидке зростання цін.