Samsung починає серійне виробництво свого другого покоління 10nm finfet 10lpp

Сьогодні Samsung оголосила про початок серійного виробництва мікросхем на основі другого покоління 10-нм виробничого процесу FinFET 10LPP, тим самим досягнувши нового рівня продуктивності та енергоефективності.

Samsung вже готовий 10 нм FinFET 10LPP

Цей новий виробничий процес отримав назву 10 нм FinFET 10LPP (Low Power Plus) і характеризується тим, що пропонує зниження енерговитрат на 15% порівняно з його першою версією 10 нм FinFET одночасно. покращує продуктивність на 10%, тому ми маємо досить значне поліпшення. Це призведе до отримання нових мобільних пристроїв з кращою автономією та більш потужними для виконання всіх завдань.

AMD використовуватиме 12-нм LPFFET процес для Ryzen та Vega другого покоління

Перші SoC, виготовлені цим процесом на 10nm FinFET 10LPP, надійдуть на початку 2018 року, хоча їх наявність на початку буде досить обмеженою, як це зазвичай відбувається у всіх поколінь.

"Ми зможемо краще обслуговувати своїх клієнтів, переходячи з 10LPE на 10LPP з кращими показниками та більш високою початковою продуктивністю", - сказав Райан Лі, віце-президент компанії ливарного маркетингу в Samsung Electronics. "Samsung зі своїм багаторічним досвідом роботи в 10-нм стратегії процесів продовжить розвивати технологію від 10 нм до 8 літрів, щоб запропонувати клієнтам чіткі конкурентні переваги для широкого спектру застосувань".

Samsung також оголосила, що його нова лінія виробництва S3 в Кореї планує почати випускати 10-нм мікросхеми та майбутні літографи, як 7nm FinFET за технологією EUV, яка буде масово випускатися на останній фабриці.

Шрифт Techpowerup