Samsung запускає свій виробничий процес у 7 нм із evv

Компанія Samsung розпочала процес виготовлення 7-нм мікросхем за допомогою технології EUV - історія, яка слідує за аналогічним повідомленням на початку цього місяця її найбільшим ливарним конкурентом - литтям TSMC.

Samsung вже здатний виготовляти 7-нм мікросхеми за технологією EUV

Південнокорейський гігант також оголосив, що займає вибірку 256 ГБ RDIMM на основі своїх 16-бітових мікросхем DRAM, і планує твердотільні накопичувачі з вбудованими модулями FPGA Xilinx. Але новина 7nm стала головним моментом події, яка стала частковою причиною її внутрішньої розробки системи інспекції маски EUV.

Ми рекомендуємо прочитати наше повідомлення про TSMC, буде основним постачальником процесорів для Apple

Процес 7LPP запропонує до 40% зменшення розміру і до 20% більше швидкості або на 50% менше споживання електроенергії порівняно з його нинішнім 10nm вузлом. Кажуть, що цей процес залучив клієнтів, включаючи веб-гігантів, мережевих компаній та мобільних провайдерів, таких як Qualcomm. Однак Samsung не очікує оголошень клієнтів до початку наступного року.

Системи EUV підтримували джерела світла потужністю 250 Вт на початку цього року на фабриці Samsung S3 у місті Хвасон, Південна Корея, заявив Боб Стіар, директор з маркетингу ливарних процесів Samsung. Рівень потужності довів продуктивність до 1500 вафельних виробів на день. З того часу системи EUV досягли піку в 280 Вт, а Samsung прагне до 300 Вт.

EUV знімає п'яту частину масок, необхідних для традиційних систем фториду аргону, збільшуючи врожайність. Однак вузол все ще потребує декількох декількох візерунків у базових шарах на передньому кінці рядка. Samsung, безсумнівно, ускладнить TSMC.

Шрифт Techpowerup