Toshiba виступає з оптимізмом завдяки своїй технології xl

Toshiba оголосив на саміті Flash Memory, що розробляє технологію 3D XL-Flash з акцентом на створенні 3D-пам'яті NAND з низькою затримкою, яка може конкурувати з новими технологіями пам'яті Optane та 3D XPoint. Toshiba каже, що новий підхід до NAND-пам'яті з низькою затримкою може знизити значення затримки до лише 1/10 від поточної споживчої ціни NAND TLC.

Технологія XL-Flash обіцяє покращення затримки пам’яті 3D-NAND

Оновлена ​​архітектура NAND з XL-Flash може бути еквівалентом тому, що робить Samsung зі своєю технологією Z-NAND, яка може знизити виробничі витрати в порівнянні з Optane. Toshiba використовуватиме свою технологію спалаху BiCS, але XL-Flash буде розгорнута, принаймні спочатку, у розгортаннях SLC, щоб покращити продуктивність (7 мікросекунд часу відгуку проти 30 мікросекунд QLC). Звичайно, це зменшить щільність зберігання, але пам’ятаймо, що мета полягає в тому, щоб запропонувати схожі на Optane продуктивність і рівну або кращу щільність за меншою ціною.

Кроки компанії Toshiba для підвищення продуктивності включають скорочення бітових рядків та ліній слів, внутрішні зв’язки між клітинками або коротший шлях між клітинками, означає меншу затримку та кращу продуктивність. Крім того, паралелізм та продуктивність були збільшені, додавши більше спалахів, незалежних регіонів, які можуть відповідати на запити даних одночасно.

Очікується, що XL-Flash буде використовуватися як кеш-пам’ять на QLC-накопичувачах високої щільності, а також як окремі продукти, що прагнуть детронувати те, що пропонується пам'яттю Optane Intel.

Toshiba здається амбіційним з ініціативою XL-Flash, і він повинен бути одним з найбільших виробників пам'яті у світі.

Шрифт Techpowerup