Пам'ять Uk iii-v, пам'ять немає

Дослідники з університету Ланкастер у Великобританії досягли успіху в створенні типу енергонезалежної флеш-пам’яті, яка настільки ж швидка, як DRAM, але використовує лише 1% енергії, необхідної сучасній пам'яті NAND або DRAM. записувати біти даних. Пам'ять називається UK III-V Memory.

Пам'ять Великобританії III-V, енергонезалежна пам'ять настільки ж швидка, як DRAM, що споживає в 100 разів менше

Необхідне споживання енергії становить приблизно 10 потужностей -17 джоулів для дверей, вбудованих в 20-метровий літографічний процес. Транзистори пам'яті Великобританії III-V матимуть звичайно вимкнений стан, а зарядний заряд займе близько 5н, а спорожнення візьмуть 3нс, обидві цифри - дуже пристойні. Ці цифри, ймовірно, будуть дещо вищими, коли додається контролер, але це варто було б компенсувати досягнутій ефективності.

Розробка все ще перебуває на стадії простого транзистора, тому перевести це на повноцінний комерційний продукт ще далеко. Однак досягнення побудови енергонезалежної пам’яті, яка є ефективною та достатньо швидкою для конкуренції з DRAM, є цілим досягненням.

Маючи енергонезалежну пам'ять так швидко, як DRAM, це цікаво, оскільки її можна використовувати для створення ПК, які можуть зберігати дані, які ми зберігаємо в оперативній пам’яті, коли система повністю вимкнена, і тому можна відновити в мить з того місця, де вона залишилася з повного стану відключення. Це усуне необхідність у режимах сну, а також дозволить системам відключати оперативну пам’ять у режимі очікування, додатково зменшуючи енергоспоживання.

Відвідайте наш довідник щодо найкращої оперативної пам'яті на ринку

Питання, яке спадає на думку, полягає в тому, чи зможе UK III-V пам’ять обробляти повторне переписування, яке зазвичай зазнає DRAM. Якщо знос - це проблема, це може зруйнувати будь-який сон комп'ютера з енергонезалежною ОЗУ.

Шрифт Tomshardware