Intel показує свою першу вафлю, зроблену в 10 нм, прийде першою на fpga

Без сумніву, Intel стоїть на передньому плані технології переробки кремнію та завжди був одним із найсильніших прихильників загальногалузевої категоризації як для уникнення плутанини, так і для того, щоб поставити лідерство в процесах. Це тому, що не всі виробники мікросхем на основі кремнію застосовують однакові стандарти для вимірювання розміру своїх транзисторів і грають «брудно», щоб здаватися більш досконалими, ніж є насправді.

Intel починає виробництво зі своїм 10-нм процесом Tri-Gate

Лідерство Intel поширюється на 10 мм, де вони мають намір покращити щільність транзистора в 2, 7 рази. Виробництво мікросхем Intel на 10 нм розпочнеться в секторі FPGA, які є найбільш підходящим кандидатом через їх надзвичайно зайвого характеру, оскільки дефект не принесе катастрофічних проблем з постраждалими чіпами, Intel може просто відключити окремі дверні масиви з дефектами, якими можна скористатися. Усі виробничі процеси незрілі за своїм початком, тому спочатку вони не підходять для виготовлення дуже складних монолітних мікросхем, в яких рівень успішності був би занадто низьким.

Це головна причина, що Intel випробовує свою архітектуру FPGA "Falcon Mesa" на тест за допомогою 10-нм-процесу. Це дає можливість компанії додатково налагодити 10-нм виробничий процес із відносно низьким ризиком, який менш чутливий до проблем та недоліків, одночасно оптимізуючи виробництво найважливіших продуктів., в основному процесори. Дизайн "FPGA" Mesa Falcon також скористається рішенням щодо упаковки EMIB від Intel, де упаковка чіпів виконується з додатковими кремнієвими підкладками, що дозволяють швидше з'єднуватися та передавати дані між окремими кремнієвими блоками. Це дозволяє уникнути необхідності повноцінного кремнієвого інтерпозатора, оскільки AMD використовує свої відеокарти Vega - більш ефективний, але набагато дорожчий спосіб зробити це.

Це означає, що Intel не потребує виготовлення всіх компонентів мікросхеми в одному і тому ж низькопродуктивному 10-нм процесі, оскільки вони можуть використовувати інші технологічні вузли на 14 нм або навіть 22 нм для деталей, які не є критичними в плані енерговитратні або не потребують сучасного виготовлення.

Джерело: techpowerup