Sk hynix розвиває пам'ять ddr4 на 1znm (16 гігабітів)

SK hynix оголосив, що розробив нову пам'ять DDR4 на 1 Гнм (Гігабіт) 16 Гбіт. 1Znm запропонує найвищу галузеву щільність та загальну потужність на одну пластину, наявну для існуючих модулів DDR4 DRAM.

SK hynix розвиває пам'ять DDR4 1Gnm 16Gb (гігабіт)

Компанія стверджує, що продуктивність нових модулів пам'яті 1Znm була покращена приблизно на 27% порівняно з лінією 1Ynm попереднього покоління. Однак виробничий процес не вимагає дорогого надзвичайного ультрафіолетового літію (EUV), що робить виробництво 1Znm вигідніше, ніж будь-коли.

Пам'ять SK hynix 1Znm підтримує швидкість передачі даних до 3200 Мбіт / с, що є найшвидшою швидкістю обробки даних інтерфейсу DDR4. Нові модулі пам'яті 1Znm мають підвищену енергоефективність, тим самим вдало знижуючи енергоспоживання приблизно на 40% порівняно з модулями тієї ж щільності, що і попередній 1YNnm 8Gb DRAM.

У процесі виготовлення було застосовано нову речовину, не використовувану в попередньому поколінні, яка максимально збільшує ємність продукту 1Знм. Ємність - це кількість електричного заряду, який може зберігати конденсатор, який є ключовим елементом роботи DRAM. Також для цього було введено нову конструкцію для підвищення експлуатаційної стійкості.

Відвідайте наш довідник щодо найкращої оперативної пам'яті на ринку

Компанія SK hynix планує розширити технологічний процес 1Znm на низку застосувань, включаючи переносні LPDDR5 DRAM наступного покоління та HBM3, які стануть найшвидшим DRAM в майбутньому.

Шрифт Techpowerupkitguru